薄膜开关厂家浅谈薄膜中含有大量的位错的原因

　　薄膜中含有大量的位错，位错密度通常可达10n^-10ucm-a，已达块状材料发生强塑性变形时位错密度的数量级，之所以产生如此多的位错，主要由下列原因引起:

　　薄膜中含有大量的位错的原因

　　(1)取向不同的小岛在合并时，晶格交接处发生小角度扭曲。如果小岛十分小，那么它们还可以稍稍移动或旋转以消除取向的差别。如果小岛比较大，则不可能消除扭曲，因而在两微晶的接触区域产生位错，如图2-9所示。显微镜研究表明，在大尺寸小岛接合的最后阶段，位错线的数目增加得特别多。

　　(2)基片与薄膜间的晶格常数不同，不仅引起界面处晶格畸变，还会导致小岛之间的畸变，这样当两个小岛合并时，也会产生位错。

　　(3)薄膜中的内应力会产生位错。在薄膜的形成过程中(特别是在初期)，薄膜中常有孔洞，在孔洞的边缘内应力集中，也*产生位错。

　　(4)片表面的位错在晶核形成过程中有可能延伸到晶粒中。除了位错以外，还有一些其它类型的缺陷，如堆垛层错、孪晶等，其密度通常在薄膜的搜盖率为50%时达到较大值，然后随着淀积增加又逐渐减小，在达到连续薄膜时会逐渐消失，对制好的薄膜进行热处理也会减少这类缺陷的数目。

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